[发明专利]一种二维材料极化激元增强的红外光探测器及其制备方法在审
申请号: | 202010607712.5 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111682087A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 李绍娟;安君儒 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/0232;H01L31/18;G01J1/42 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 宁晓丹 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种二维材料极化激元增强的红外光探测器及其制备方法涉及红外探测器技术领域,解决了现有探测器难以实现极化激元在中、远红外领域应用的问题,包括基底、设置在基底上的介电层、设置在介电层上的具有极化激元特性的二维材料阵列、设置在二维材料阵列上的窄带隙二维半导体材料层和设置在窄带隙二维半导体材料层上的金属电极。制备方法为在介电层上制备二维材料阵列;在二维材料阵列上制备窄带隙二维半导体材料层;在窄带隙二维半导体材料层上制备金属电极。本发明利用二维材料阵列的极化激元提高探测器在中远红外波段响应,采用窄带隙二维材料层有效地感应二维材料阵列中极化激元的强局域场,并提取为电流信号读出,实现高响应的中远红外光探测。 | ||
搜索关键词: | 一种 二维 材料 极化 增强 红外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010607712.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种即食低盐秧草腌菜加工方法
- 下一篇:一种可延伸便携式床上用电脑支架
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的