[发明专利]超级结器件的工艺方法在审
| 申请号： | 202010607896.5 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111785625A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 夏春伟;顾文炳;姚亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/67;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种超级结器件的工艺方法，针对刻蚀沟槽填充外延形成超级结的工艺，深沟槽的形成采用不少于两次的刻蚀工艺来形成，先进行第一次沟槽刻蚀，刻蚀深度依深沟槽刻蚀总次数及沟槽的相貌要求确定；刻蚀完成后在沟槽侧壁沉积硬掩模层，然后对沟槽底部进行下一次的刻蚀，刻蚀到本次要求的深度后，继续在沟槽侧壁沉积硬掩模层，继续对沟槽底部进行刻蚀，再在沟槽侧壁沉积硬掩模层……，以此类推，直到达到深沟槽的设计深度；形成的深沟槽的宽度呈现上大下小的形貌；然后去除硬掩模层，再填充第一导电类型的外延层。本发明通过作业纵向不同CD宽度的沟槽搭配经优化的上下层不同RS的外延来降低器件的R |
||
| 搜索关键词： | 超级 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010607896.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
