[发明专利]抗位移辐射加固的MOS栅控晶闸管有效
| 申请号： | 202010610655.6 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111697059B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;李磊;吴玉舟;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/745;H01L29/749 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具备抗辐射能力的MOS栅控晶闸管，属于功率器件技术领域；所述MOS栅控晶闸管自上而下主要包括金属阴极、栅极、栅氧、阴极掺杂区、第一掺杂阱区、第二掺杂阱区、衬底、埋层、底层、阳极掺杂层和金属阳极；底层和金属阳极短接，实现零栅压条件下的正向耐压；底层为低掺杂，获得较高电阻率条件，使得器件内部晶闸管闩锁能够在小电流条件下触发，实现高电流上升率；衬底、埋层和底层为同型掺杂，埋层的掺杂浓度高于衬底，能够阻断耗尽电场，使得衬底厚度减薄。基于本发明器件结构能够提高MOS栅控晶闸管抗位移辐照的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 位移 辐射 加固 mos 晶闸管 | ||
【主权项】：
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