[发明专利]GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法有效
| 申请号： | 202010611079.7 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111722075B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 彭超;雷志锋;岳少忠;张战刚;何玉娟 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 缪成珠 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法，结构包括底座、导电连接层及扫描探针。底座用于放置GaN基异质结构，GaN基异质结构包括沿远离底座方向依次层叠设置的GaN缓冲层、势垒层以及欧姆接触层，其中，GaN缓冲层和势垒层之间形成有二维电子气，欧姆接触层与二维电子气连通；导电连接层连接底座与欧姆接触层；扫描探针由底座引出，并连接势垒层，以在扫描探针与底座之间形成电回路，扫描探针用于沿势垒层表面扫描并在预设的偏压条件下获取势垒层中潜径迹的表征结果。通过上述测试结构能够快速准确地验证GaN基异质结构的势垒层中是否存在潜径迹，当存在潜径迹，可获取其表征结果，实现对潜径迹的有效表征。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 器件 径迹 表征 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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