[发明专利]一种光存储复合型忆阻器及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202010611824.8 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111725401B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张磊;汪炼成;司佳威;肖灿城 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H01L31/032;H01L31/09;H01L27/12;H01L31/18;H01L21/02;G11C13/04 |
| 代理公司： | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人： | 周咏;林毓俊 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光存储复合型忆阻器及其制备方法与应用，包括光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器，光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器共用一个衬底，光电探测器从衬底往上依次包括光电转化层和金属上电极，pn异质结构模拟型忆阻器从衬底往上依次包括金属下电极、p型氧化物薄膜层、n型氧化物薄膜层、金属上电极；光电探测器的金属上电极与pn异质结构模拟型忆阻器的金属上电极是连接在一起。本发明采用模拟型忆阻器(突触器件)与光电探测器复合制备成复合型忆阻器，可以通过不同光激发图像传感器光电导效应，精确调节模拟型忆阻器两端电压及电阻值，最终可以实现光信号对忆阻器阻值的精确调控，从而进一步实现更真实的人工视觉记忆仿生模拟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 复合型 忆阻器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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