[发明专利]一种垂直结构氮化物RC LED和制备方法在审

专利信息
申请号: 202010611853.4 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN111725367A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 汪炼成;龙林云;高祥;万荣桥;徐意 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10;H01L33/00
代理公司: 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 代理人: 周咏;林毓俊
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种垂直结构氮化物RC LED及其制备方法,由下到上包括导电衬底、氮化物DBR1、氮化物层1、多量子阱有源区层、氮化物层2、透明导电插入层、氮化物DBR2,所述导电衬底和氮化物DBR2上均设有金属电极。本发明中的氮化物DBR1和氮化物DBR2是利用磁控溅射制备的材料,其晶体结构是多晶甚至非晶的,因此可以减少应力和应力累计。本发明中氮化物DBR1和氮化物DBR2由AlxIn1‑xN层和AlyIn1‑yN层周期循环交替组合,可以根据DBR目标反射波长,调节AlyIn1‑yN/AlxIn1‑xDBR中Al成分,最大程度的减少对DBR目标反射波长光的吸收。本发明中导电Si衬底上制备导电AlyIn1‑yN/AlxIn1‑xN DBR中引入了掺杂元素,可以制备垂直电流注入型RC LED,提高RC LED性能。
搜索关键词: 一种 垂直 结构 氮化物 rc led 制备 方法
【主权项】:
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