[发明专利]一种单行载流子光电探测器及其制作方法在审
申请号: | 202010614270.7 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111900215A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 李冠宇;牛斌;吴立枢;戴家赟 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/024;H01L31/105;H01L31/18 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 陈鹏 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制作方法,光电探测器包括金刚石衬底、金属反射层、有源层和电极,金属反射层作为探测器的N型电极;制作方法包括:在InP衬底上生长外延层;将临时载片与InP片键合;去除InP衬底;在N‑InP次集结层上蒸发金属Ti/Pt/Au,在金刚石衬底上蒸发金属In,将探测器有源层转移至金刚石衬底上;去除临时载片;在P‑InGaAs接触层上形成P电极;腐蚀外延层,刻蚀金属反射层;沉积SiNx,通过刻蚀在P型电极和N型电极上形成窗口;溅射WTi,制作Au电极,以Au电极为掩膜,刻蚀WTi,得到UTC‑PD。本发明具有高散热能力、大带宽、高响应度以及高饱和输出功率的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 单行 载流子 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的