[发明专利]用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备有效
申请号: | 202010614408.3 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111850514B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 夏俊涵;孙中岳 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44;C23C16/24;C30B25/14;C30B29/06;H01L21/67 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备,该进排气构件包括环形主体,沿环形主体的周向侧壁设置的进气通道和排气通道,进气通道和排气通道的对称面为同一平面,且环形主体的轴线位于对称面内;进气通道和排气通道设置于环形主体上,消除现有技术中分体式进排气口的装配间隙,减少腔室边缘区域的气体紊流,改善晶圆表面生长的外延层厚度均匀性;同时气体从进气通道至排气通道的流动方式,扩大气流的流动空间,减少边缘紊流区对晶圆上方气流场的影响,保证晶圆上方气体的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 用于 外延 生长 设备 排气 构件 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的