[发明专利]基于变形基板的锡膏植球方法有效
| 申请号： | 202010615130.1 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111755339B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 陈召军 | 申请（专利权）人： | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 关向兰 |
| 地址： | 266104 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于变形基板的锡膏植球方法，包括以下步骤：根据变形基板的形变参数，调整普通网板的形状以获得匹配网板，以使得匹配网板的上侧面与变形基板的形变形状相适配；将匹配网板以其下侧面面向变形基板的姿态，置于变形基板上侧，且匹配网板的各网孔与变形基板上对应的各焊盘位置相对，以使得变形基板与匹配网板的上侧面各处的间距相当；在匹配网板的上侧涂覆锡膏，使得锡膏填充各网孔，以涂覆于变形基板上的各焊盘位置。本发明提供的锡膏植球方法通过调整网板的形状，获得与变形基板形变形状相适配的网板，从而在锡膏植球的过程中，使得填充各网孔的锡膏量相当，最终成型的各焊球的大小高度接近，从而提升基板封装质量。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 变形 锡膏植球 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
