[发明专利]一种抗辐照GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010615371.6 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111900148A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王登贵;周建军;孔岑;张凯;戚永乐;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种抗辐照GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管结构包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、栅极、第一钝化层和第二钝化层。本发明针对常规GaN HEMT经过高能粒子辐照后器件性能退化明显的问题，通过引入具有高位移阈能的钛酸钡等作为第二钝化层，可以有效屏蔽高能粒子对势垒层与沟道层的绝大部分辐照影响，提升GaN HEMT器件在航空航天、通信卫星、太空探测等领域极端环境条件下的工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 gan 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010615371.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
