[发明专利]一种预锂化硅基薄膜负极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010616045.7 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111653727B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张长安;曹新龙;杨时峰;薛孟尧;胥鑫;田占元 | 申请（专利权）人： | 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/04;H01M4/1395;H01M10/0525;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710100 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种预锂化硅基薄膜负极材料及其制备方法，包括沉积在集流体上的硅基薄膜，所述硅基薄膜和集流体之间沉积有里层碳薄膜，金属锂薄膜沉积在所述硅基薄膜上，所述金属锂薄膜上沉积有外层碳薄膜；本发明制得的硅基薄膜负极材料的体积膨胀效应低、循环性能优异、安全性能优异，并且本发明通过真空磁控溅射技术直接在集流体上一步法制备硅基负极薄膜，省去了传统电极制备过程中制浆，涂覆，辊压，烘干等步骤，有效简化了工艺流程，降低了制造成本和品控风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预锂化硅基 薄膜 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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