[发明专利]有源腔与无源腔交替结构的DFB激光器在审
| 申请号： | 202010616598.2 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111755946A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 徐长达;陈伟;班德超;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;雄芯光电科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种有源腔与无源腔交替结构的DFB激光器，包括：衬底层；下限制层，位于衬底层上；下波导层，位于下限制层上；有源层，位于下波导层上；上波导层，位于有源层上；上限制层，位于上波导层上，其内设置有光栅结构；沿上限制层设置有一纵向脊波导；欧姆接触层，覆于脊波导上表面共同构成脊条结构；绝缘层，位于上限制层表面及脊条结构侧壁；以及P面电极，成梳齿状纵向间隔覆于脊条结构的上表面并覆满脊条结构侧壁后沿绝缘层延伸出一外部接入电极；其中，有源层中对应脊条结构有覆盖P面电极的部分形成多个有源腔，有源层中对应脊条结构未覆盖P面电极的部分形成多个无源腔，从而使得激光器沿纵向方向上形成有源腔与无源腔的交替结构。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 无源 交替 结构 dfb 激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所;雄芯光电科技有限责任公司，未经中国科学院半导体研究所;雄芯光电科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010616598.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
