[发明专利]耐腐蚀绝压芯片的批量制造方法在审
| 申请号： | 202010616828.5 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111554587A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 汪民;许玉方;汪洋;李郎 | 申请（专利权）人： | 广州德芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;G01L1/20;G01L9/02 |
| 代理公司： | 广州科沃园专利代理有限公司 44416 | 代理人： | 曾美萍 |
| 地址： | 510000 广东省广州市番禺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐腐蚀绝压芯片的批量制造方法，其通过半导体MEMS工艺制作好硅杯，并在硅杯的膜片应力合适的位置扩散了桥式电阻，当膜片的上下受到不同压强时，通过膜片的应力变化导致电阻的变化，在压强标准检定装置上校验好后，可以很灵敏地测量外界的压强本。本发明方法将真空腔封装在硅片正面具有电极的外，利用硅杯的无电极面那边来接触介质隔绝介质直接接触芯片及硅材料本身的耐腐蚀能力，而具有较好的耐腐蚀性。本发明玻璃基座、硅片和玻璃盖前期分别处理，分别批量加工出矩阵分布的多个导通孔、硅杯及真空腔，再粘结及倒装批量封装再划开获得多个成品传感器芯片，本发明的方法能够极大地提高生产效率、增加产量及降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 芯片 批量 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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