[发明专利]碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法在审
| 申请号： | 202010617597.X | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN112176414A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 曲伟峰;井川静男;砂川健 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B31/06;C30B29/06;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×10 |
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| 搜索关键词： | 掺杂 单晶硅 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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