[发明专利]晶圆扩片方法有效
| 申请号： | 202010619237.3 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111739842B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王海升;詹新明;曾斌 | 申请（专利权）人： | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 关向兰 |
| 地址： | 266104 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶圆扩片方法，包括步骤：提供一晶圆模组，所述晶圆模组包括晶圆、贴膜和安装环，所述贴膜的外周粘接于所述安装环上，所述晶圆的背面粘接在所述贴膜上，所述晶圆具有多个芯片；对所述晶圆进行切割，以使任意相邻的两个所述芯片之间具有切缝；提供一工装，设置于所述晶圆模组的下方；驱动所述工装上升顶起并撑开所述贴膜，以对所述贴膜进行扩片处理，以使所述切缝断开后分离所述贴膜上的各芯片。本发明的来料晶圆切割后利用工装直接对来料UV膜进行扩片处理，无需进行换膜或者粘膜操作，节省了换膜或粘膜材料及操作工序，操作简单方便，减轻了人工劳动强度，提高了生产效率。同时降低污染晶圆的风险，提高产品良率，保证产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆扩片 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
