[发明专利]新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010619891.4 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111627842A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 吴堃;杨猛 | 申请（专利权）人： | 上海邦芯半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/68;H01J37/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201500 上海市金*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法，包括：刻蚀系统，刻蚀系统包括:下电极;上电极;位于下电极和上电极之间的射频隔离环;射频隔离环包括:位于下电极外部区域的下射频隔离环;位于上电极外部区域的上射频隔离环,上射频隔离环和下射频隔离环之间具有间隙；传片系统；刻蚀系统位于传片系统的侧部,刻蚀系统和传片系统集成在一起；光学定位系统，光学定位系统包括：校准晶圆；光学探测部件；光学接收部件；修正单元，所述修正单元适于根据光学接收部件对校准晶圆和晶圆分别获取的光信息的差别修正晶圆的位置。所述新型边缘刻蚀反应装置能够提高对晶圆边缘区域的刻蚀重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 边缘 刻蚀 反应 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海邦芯半导体设备有限公司，未经上海邦芯半导体设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010619891.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池装置及无人设备
- 下一篇：一种防雷电路及防雷装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
