[发明专利]利用硅连接层集成HBM存储裸片的多裸片FPGA有效
| 申请号： | 202010620175.8 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111755435B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 徐彦峰;范继聪;单悦尔;闫华;张艳飞 | 申请（专利权）人： | 无锡中微亿芯有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L25/00;H01L23/535;H01L23/538;G06F30/34 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳;聂启新 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种利用硅连接层集成HBM存储裸片的多裸片FPGA，涉及FPGA技术领域，该多裸片FPGA内部设计有源的硅连接层并在其上集成FPGA裸片和HBM存储裸片，硅连接层内部布设硅连接层互连框架，HBM存储裸片接入硅连接层互连框架，与多个网络接口和多个路由器形成HBM节点，FPGA裸片内部已有的裸片路由节点接入硅连接层互连框架与HBM节点形成更大的片上网络，HBM节点可以使用多个路由器同时与FPGA裸片内部多个裸片路由节点传输数据，该结构实现了HBM存储裸片与FPGA裸片的高效通信互联，具有高存储带宽、高数据输入输出。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 连接 集成 hbm 存储 多裸片 fpga | ||
【主权项】：
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