[发明专利]高电阻率宽禁带半导体材料本征光电导率测试方法及系统在审
| 申请号： | 202010620287.3 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111965510A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 黄维;郑重;韩伟伟;孔海宽;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;姚佳雯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高电阻率宽禁带半导体材料本征光电导率测试方法，包括：制备在由高电阻率宽禁带半导体材料构成的衬底的厚度方向两侧表面上分别形成有作为阳极的实心电极和作为阴极且覆盖有透明导电薄膜的空心电极的光电导率测试样品，并将其接入测试电路；通过光阑沿垂直于透明导电薄膜的方向向其施加激光束；调节光阑的孔径，在每个孔径下利用示波器获取测试电路中连接的电容器两端的电压峰值和用于检测光电导率测试样品在激光束照射下产生的光生载流子所引起的电流变化的电流探测器的电压峰值；根据电容器的两端的电压峰值和电流探测器的电压峰值计算每个孔径下的光电导率测试样品的最小通态电阻；拟合多组孔径与最小通态电阻得到衬底的本征光电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 宽禁带 半导体材料 电导率 测试 方法 系统 | ||
【主权项】：
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