[发明专利]碳化硅晶圆腐蚀的保护方法在审
| 申请号： | 202010620381.9 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111725053A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张晓洪;钮应喜;程海英;钟敏;袁松;左万胜;刘洋;郗修臻;史田超;史文华 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 任晨晨 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了碳化硅晶圆腐蚀的保护方法，包括以下步骤：1)在碳化硅晶圆表面镀耐腐蚀层；2)去除碳化硅晶圆待腐蚀面的耐腐蚀层；3)腐蚀步骤2)处理后的碳化硅晶圆；4)观察碳化硅晶圆的缺陷情况；5)去除碳化硅晶圆其他面的耐腐蚀层；6)去除碳化硅晶圆待腐蚀面的腐蚀层，获得可循环使用的碳化硅晶圆。与现有技术相比，本发明提供的腐蚀保护方法获得的碳化硅晶圆依然具有一定厚度，而且侧面完整性好，能够满足重复利用的要求，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 腐蚀 保护 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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