[发明专利]一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法有效
| 申请号： | 202010620665.8 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111705359B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张学富;吴天如;王浩敏;于庆凯;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/02;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 余永莉 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括以下步骤：S1：提供一种铜基织构薄膜衬底，将所述铜基织构薄膜衬底置于化学气相沉积系统中进行退火处理；以及S2：通入气态碳源，在所述铜基织构薄膜衬底表面外延生长石墨烯单晶晶圆。根据本发明提供的一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法，解决了单晶衬底外延生长单晶石墨烯晶圆带来的高昂成本问题，有利于石墨烯单晶晶圆的规模化应用，对实现石墨烯在微电子领域中的广泛应用有着重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜基织构 薄膜 衬底 制备 石墨 烯单晶晶圆 方法 | ||
【主权项】：
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