[发明专利]一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件有效
| 申请号： | 202010620956.7 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111933705B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 徐焕新;陈芳林;陈勇民;操国宏;蒋谊;潘学军;邹平;孙永伟 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，解决了现有逆阻型IGCT由于阻断能力漏电较大、反向恢复关断能力低及通流能力低问题。对第二导电类型的衬底进行离子注入在上表面形成第一导电类型第一基区、在背面形成第一导电类型阳极发射区；高温推进在第一导电类型第一基区远离衬底上表面形成第一导电类型第二基区，在第一导电类型阳极发射区远离衬底下表面形成第一导电类型第三基区；在第一导电类型第一基区上表面形成第二导电类型阴极区；在第一导电类型阳极发射区上形成阳极；在第二导电类型阴极区上形成阴极，在第一导电类型第一基区上形成门极；处理衬底边缘形成台面；对台面终端局部辐照形成辐照区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代半导体有限公司，未经株洲中车时代半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010620956.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
