[发明专利]一种三维NAND铁电存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种三维NAND铁电存储器及其制备方法，其中，三维NAND铁电存储器，包括：依次层叠设置的基底层(1)、导电层(2)和叠构层，所述叠构层包括交叠设置的多层隔离层和多层控制栅电极层；及多组通道组，多组通道组中每一组均包括两个通道，所述两个通道均贯穿叠构层设置，两个通道的底端嵌于导电层(2)，且两个通道的底端连通，两个通道之间设置有使两个通道的控制栅电极层分离开的分离层(6)，通道内壁上依次设置有缓冲层(7)、铁电薄膜层(8)、沟道层(9)，使两个通道形成多个铁电场效应晶体管(13)串联组成的通道组(5)。该存储器的通道组设置可以获得更为紧凑的布线，实现更高密度集成，且可靠性更高。