[发明专利]一种存储单元及其操作方法和制备方法在审
申请号: | 202010622390.1 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111799271A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 曾斌建;周益春;廖敏 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568;H01L27/1159 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 郑久兴 |
地址: | 411100 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种存储单元及其操作方法和制备方法,其中,存储单元包括:衬底、设置在所述衬底中的源极和漏极、堆叠栅和侧墙;所述堆叠栅设置在所述源极和漏极之间的所述衬底上,包括沿远离所述衬底依次设置的隧穿氧化层、电荷俘获层、反铁电薄膜层和栅电极;所述栅电极用于提供控制电压;所述反铁电薄膜层用于在所述控制电压的作用下增强所述隧穿氧化层上的电场,增加所述隧穿氧化层的能带的弯曲程度;所述电荷俘获层用于俘获从所述衬底注入的电荷存储信息。本发明的存储单元工作电压低、存取速度快、功耗低。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储 单元 及其 操作方法 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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