[发明专利]晶硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种晶硅太阳能电池及其制备方法，所述晶硅太阳能电池包括：晶硅，包括N型半导体层和P型半导体层，所述晶硅包括相对设置的第一表面和第二表面；介质层，位于晶硅的第一表面上，所述介质层的表面形成有纳米陷光结构；第一电极，与晶硅中的N型半导体层电性连接；第二电极，与晶硅中的P型半导体层电性连接。现有技术中的黑硅电池片的纳米陷光结构制备于晶硅表面，制备工艺对电池片的电学性能有很大影响；而本发明纳米陷光结构制备于介质层表面，可以最大限度避免制备纳米陷光结构工艺对电池片电学性能的影响，同时大幅降低电池表面的反射率，从而提高电池片的光电转换效率。