[发明专利]电吸收光调制器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010623368.9 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN112398004A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 中村厚;北谷健;冈本薰;早川茂则 | 申请（专利权）人： | 朗美通日本株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电吸收光调制器包括：由多个层构成的多量子阱，多个层包括交替堆叠的多个量子阱层和多个势垒层，多个量子阱层和多个势垒层包括受体和供体；与多个层中的最上层接触的p型半导体层；以及与多个层中的最下层接触的n型半导体层，多量子阱的p型载流子浓度为p型半导体层的p型载流子浓度的10％至150％，并且在多量子阱中，与p型载流子浓度与n型载流子浓度之差对应的有效载流子浓度为多量子阱的p型载流子浓度的±l0％或更低。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 调制器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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