[发明专利]锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010624900.9 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113884956A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李少平;刘红超;陈南翔 | 申请（专利权）人： | 华润微电子控股有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 200040 上海市静*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锑‑铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器及其制造方法，所述传感器包括：第一介质层；锑‑铟系化合物半导体磁阻芯片，形成于第一介质层的第一面；导线，形成于第一介质层的第一面；永磁软磁复合层，包括永磁层和软磁层，永磁软磁复合层在第一面的正投影覆盖所述芯片；其中，所述永磁层的矫顽场比所述软磁层的矫顽场大至少50％，且所述软磁层的饱和磁感应强度比所述永磁层的剩余磁感应强度大至少100％。本发明的传感器能够准确地测出连续变化的电流值。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 磁阻 连续 电流传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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