[发明专利]铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片有效
| 申请号： | 202010624967.2 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN112652540B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张文龙;杨楚宏;郑亚锐;张胜誉 | 申请（专利权）人： | 腾讯科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 张所明 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片。所述方法包括：在衬底上涂敷第一光刻胶层，进行第一烘烤；在第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层，进行第二烘烤；对第二光刻胶层进行欠曝光，进行第三烘烤；对经欠曝光和第三烘烤后的第二光刻胶层进行显影和定影，以在第二光刻胶层上形成底切结构，该衬底带有光刻胶结构；对带有光刻胶结构的衬底进行泛曝光，进行第四烘烤；在经泛曝光和第四烘烤之后，刻蚀第一光刻胶层形成图形限制层；在图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料形成铟柱焊点；将第一光刻胶层和第二光刻胶层从衬底上剥离，得到带有铟柱焊点的衬底。本申请能够避免铟柱底部产生侧向扩散的问题，保护衬底其他位置不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 铟柱焊点 制备 方法 芯片 衬底 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
