[发明专利]包括页缓冲器的半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202010625941.X | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113129970A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吴星来;金东赫;朴泰成;丁寿男 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C7/10;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11575;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包括页缓冲器的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：多个页缓冲器，所述多个页缓冲器限定在基板的有源区域中；以及多条布线，所述多条布线设置在页缓冲器上方，并且通过触点联接到缓冲器。所述多条布线可包括分别与触点联接的接触部分。所述多条布线可被配置成弯曲形状，使得接触部分朝着有源区域的中心线偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 缓冲器 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010625941.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括熔丝锁存器的半导体器件
- 下一篇：脱泡装置
