[发明专利]磁吸附机构、蒸镀装置及电子器件的制造装置在审
| 申请号： | 202010626576.4 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN112185876A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 宫崎圭介;江泽光晴 | 申请（专利权）人： | 佳能特机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李双亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够简便且高精度地调整相对于掩模的吸附力分布的技术。提供一种磁吸附机构，所述磁吸附机构使用磁力使掩模吸附于成膜对象物的表面，所述掩模用于对成膜对象物形成所期望的成膜图案，其中，所述磁吸附机构具备：多个磁铁，所述多个磁铁相对于成膜对象物配置在与掩模相反的一侧；以及背轭，所述背轭安装有多个磁铁，并形成磁回路，所述磁回路利用磁铁的磁力而产生在朝向成膜对象物的方向上吸引掩模的吸附力，背轭在与磁铁的磁化方向上的端面接触的接触部具有磁阻调整部，所述磁阻调整部通过在与端面的一部分之间形成幅度可变的空间，或者通过使端面的一部分向接触部的内侧开放，从而能够对吸附力进行调整。 | ||
| 搜索关键词： | 吸附 机构 装置 电子器件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
