[发明专利]一种光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域，包括：背阴电极层、p‑Si层，p‑Si层位于背阴电极层的上表面；n‑Mg2Si层，n‑Mg2Si层位于p‑Si层的上表面；阳极层，阳极层位于n‑Mg2Si层的上表面；利用Mg2Si/Si异质结的光电特性制备的异质结光电探测器，与传统光电器件材料使用Hg、Cd、Te相比Mg2Si、Si无毒无害，使用后对环境不会造成污染，解决了使用Hg、Cd、Te会对环境造成污染的问题，降低了开采对环境造成的污染；同时，由于Si和Mg地壳含量大，容易加工获得，降低了红外探测器的生产成本；1.2～1.8um红外线波段适用于做近红外探测器；Mg2Si在不同衬底上外延生长，与硅工艺兼容。因此Mg2Si/Si在光电探测器领域有着广泛的应用前景，本申请的光电探测器具有很好的实用价值。