[发明专利]一种用于三维系统级封装的TSV无源转接板制备方法有效
| 申请号： | 202010626938.X | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111900127B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 朱宝;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/265;H01L21/02;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用于三维系统级封装的TSV无源转接板制备方法。采用离子注入工艺向单晶硅衬底中注入低能离子至较浅深度，然后进行高温退火在硅衬底内部形成一层硅化合物，从而硅化合物将硅衬底分为上方的顶层硅和下方的体硅。接着在顶层硅表面采用分子束外延的方法生长一定厚度的单晶硅，作为基底。本发明能够充分利用硅材料，节约成本，同时有利于实现芯片的高密度封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 三维 系统 封装 tsv 无源 转接 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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