[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于在无损伤半导体器件内部结构的前提下形成阻挡层，抑制寄生沟道漏电，提高半导体器件的性能。所述半导体器件包括：衬底、堆叠结构、扩散掺杂叠层和栅堆叠结构。堆叠结构包括阻挡层和有源层。有源层包括源区、漏区和沟道区。沟道区分别与源区和漏区接触。扩散掺杂叠层形成在衬底上。扩散掺杂叠层至少环绕在阻挡层的外侧壁。扩散掺杂叠层用于向阻挡层扩散杂质。扩散至阻挡层内的杂质的掺杂类型与源区和漏区内杂质的掺杂类型相反。栅堆叠结构形成在沟道区外周。所述半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案所提的半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。