[发明专利]一种改善多晶及类单晶光衰的氢钝化提效装置及其方法在审
申请号: | 202010628787.1 | 申请日: | 2020-07-01 |
公开(公告)号: | CN111785798A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 张伟;郭海志;贾慧君 | 申请(专利权)人: | 晋能清洁能源科技股份公司 |
主分类号: | H01L31/043 | 分类号: | H01L31/043;H01L31/18 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 曹鹏飞 |
地址: | 033000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善多晶及类单晶光衰的氢钝化提效装置及其方法,该装置包括:电池片组、导电隔板、直流电源、通风板、通气孔和温度探测器;所述电池片组至少包括一片多晶或类单晶电池片,所述导电隔板设置在所述电池片组的上下两端,所述直流电源与所述电池片组电连接,且所述电池片组的两侧安装有通风板,所述通风板的上表面上设置有通风口,所述通风板的底部平面上均匀设置有通气孔,所述通风口与所述通气孔相通。本发明通过提高电池片表面的温度来进一步改善电池片的光衰现象,有效延长电池片的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 多晶 类单晶光衰 钝化 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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