[发明专利]一种增级多孔钽植入体激光选区制备方法及植入体有效
| 申请号： | 202010629890.8 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111975001B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 宋长辉;胡泽华;刘子彬;杨永强;刘林青 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | B22F10/28 | 分类号： | B22F10/28;B22F1/054;B22F1/065;B22F1/16;B22F9/04;B22F5/10;A61L27/04;A61L27/56;B33Y10/00;B33Y80/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增级多孔钽植入体激光选区制备方法及植入体，方法包括下述步骤：激光选区熔化成形过程中，在激光辐射下，球形钽粉末熔化，纳米钽的氢化物因高温分解氢气，高温高压作用下氢气爆破溢出，在成形钽表面形成第一级多孔结构；由于SLM成形熔道与熔道之间形成间隙，当前层熔道与下一层熔道之间形成30‑90度夹角，从而构成第二级多孔结构；球形钽粉末熔化凝固形成由CAD设计软件定制的第三级与第四级多孔结构。上述共四级多孔结构形成跨级纳米尺度、微纳米尺度、微米尺度、毫米尺度等多重跨尺度宏微观一体化的多级多孔钽植入体。本发明通过分解氢气爆破溢出生成的增级结构拓宽了SLM成形极致微小能力，增强了激光选区熔化成形多孔钽的成形能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 植入 激光 选区 制备 方法 | ||
【主权项】：
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