[发明专利]氮化物材料的制备方法及氮化物材料在审
| 申请号： | 202010630174.1 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111816550A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 梁智文;王琦;袁冶;王新强;汪青;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/683 |
| 代理公司： | 东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙) 44412 | 代理人： | 邓燕 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及氮化物材料的制备方法及氮化物材料，氮化物材料的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底的表面沉积氮化物，形成氮化物薄膜；采用离子注入方法，在氮化物薄膜中形成离子注入层，离子注入层将氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜与第二氮化物膜，第一氮化物膜附着于衬底上，第二氮化物膜远离衬底；在第二氮化物膜的表面沉积功能材料，形成功能材料层；自离子注入层剥离第二氮化物膜与功能材料层。工艺步骤简单，可操作性强，无需激光处理，不受功能材料的尺寸限制，利于在工业中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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