[发明专利]闪存Nand Flash的动态测试方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202010630500.9 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111816240A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 殷中云;朱晓锐;邓玉良;方晓伟;杨彬;庄伟坚 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 王海滨 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存Nand Flash的动态测试方法，包括：当编辑次数匹配到动态测试条件时，根据预设的动态控制指令列表中的温度控制指令控制Nand Flash芯片在第一目标温度下进行数据编程，得到第一数据文件；分别根据动态控制指令列表中不同的温度控制指令读取Nand Flash芯片在第二目标温度下的数据，得到第二目标温度对应的多个第二数据文件；分别根据多个第二数据文件及第一数据文件判定Nand Flash芯片在第二目标温度下的误码率。本方案通过读取Nand Flash芯片在第一目标温度下编程后的第一数据文件，并读取Nand Flash芯片在不同的第二目标温度下的多个第二数据文件，利用多个第二数据文件及第一数据文件确定不同温度下Nand Flash芯片的误码率，实现全面动态测试Nand Flash芯片的误码率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 nand flash 动态 测试 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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