[发明专利]一种IGBT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010630739.6 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111584624A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛;程庆彪;潘克学 | 申请（专利权）人： | 潘克学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 沈涛 |
| 地址： | 112300 辽宁省铁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBT器件结构及其制备方法，属于半导体功率器件与工艺制造技术领域。该IGBT器件结构及其制备方法包括N‑衬底、超结区、元胞、FS层、P+层、N+层、填充层。本发明中的N‑衬底、超结区、元胞、FS层、P+层、N+层可以保障器件耐压，还通过在N‑衬底上设置第一安装槽，并在第一安装槽内填充第一绝缘层，第一绝缘层通过高K绝缘材料制成，从而起到在器件开通时，提高FS层中空穴载流子密度，有效地隔离了IGBT区域和MOSFET区域，从而有效降低器件导通电阻，抑制器件开通时的snapback现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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