[发明专利]闪存Nand Flash的数据写入方法、装置、电子设备及存储介质有效
| 申请号： | 202010630955.0 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111813339B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 唐越;邓玉良;朱晓锐;殷中云;郑伟坤;李昂阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 王海滨 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存Nand Flash的数据写入方法，包括：在接收到编程指令时，获取编辑记录表中Nand Flash芯片的各存储块对应的编辑次数，获取编辑记录表中各存储块对应的编程间隔时间，及获取Nand Flash芯片当前的编程温度；利用各编辑次数、各编程间隔时间及编程温度分别计算各存储块对应的编程优先级系数；根据编程优先级系数的系数值大小确定各存储块中待编程的目标存储块；对目标存储块进行数据写入。通过实施本方案，根据Nand Flash芯片当前的编程温度、各存储块的编辑次数及编程间隔时间计算各存储块的编程优先级系数，根据编程优先级系数确定Nand Flash芯片中的目标存储块，并对目标存储块进行数据写入，可降低Nand Flash芯片的误码率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 nand flash 数据 写入 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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