[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法

摘要

一种3D NAND存储器及其形成方法，所述形成方法，在若干子阵列共源极表面上以及相邻若干子阵列共源极之间的第一隔断结构表面上形成将若干子阵列共源极连接的金属层，若干子阵列共源极通过金属层连接构成一个阵列共源极。本发明的方法直接在若干子阵列共源极表面上以及相邻子阵列共源极之间的第一隔断结构的表面上形成将若干子阵列共源极连接的一整段连续的金属层，金属层相对于将相邻的子阵列共源极的两端连接的连接桥的工艺难度较小，不会存在刻蚀的负载，并且一整段连续的金属层使得阵列共源极中的横向电流方向被优化。