[发明专利]一种测量薄膜样品的复介电常数和复磁导率的测试方法在审
| 申请号： | 202010632559.1 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111795979A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 孟亚宁;赵鑫磊;吴琼;李勇伟;陈兴豪;杨波;赵世峰 | 申请（专利权）人： | 内蒙古大学 |
| 主分类号： | G01N22/00 | 分类号： | G01N22/00;G01N27/72;G01R27/26;G01R33/12;G06F17/11;G06F17/16 |
| 代理公司： | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人： | 杜权 |
| 地址： | 010021 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用网络参数法测试薄膜复介电常数和复磁导率的方法，主要是利用了矢量网络分析仪的二端网络端口试样模型，测量出薄膜样品在微波频段的S参数，并基于S参数应用于数学形式计算中以直接计算出准确唯一的介电常数和复磁导率。本发明中的测试方法的测试范围广，结果准确，过程简单，而且误差小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 薄膜 样品 介电常数 磁导率 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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