[发明专利]一种光电探测装置及其制造方法有效
申请号: | 202010632893.7 | 申请日: | 2020-07-02 |
公开(公告)号: | CN111755536B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 祁帆;苏宗一;石彬;蔡鹏飞;潘栋 | 申请(专利权)人: | NANO科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/107;H01L31/18;G02B6/42 |
代理公司: | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人: | 许天易 |
地址: | 100094 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种光电探测装置及其制造方法,该光电探测装置包括:衬底,在所述衬底的顶部设置有波导层,所述波导层包括沿水平X轴方向设置的输入段波导和探测段波导;所述探测段波导层的末端为波导后端面;雪崩倍增探测区,其设置在所述探测段波导层之上,包括沿竖直Z轴方向依次设置的倍增层、吸收层和顶接触层;反射体,其沿水平X轴方向连接到所述波导后端面;其中,所述反射体由一维光子晶体、二维光子晶体或体块材料中的一种构成。本发明简化了光电探测装置中的反射体的设计结构,降低了制造成本;增强了光电探测装置的响应度,允许光电探测装置同时获得较高的响应度和较快的响应速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 探测 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的