[发明专利]一种富集112

摘要

本发明公开了一种富集112Cd靶的制备方法，基于硫酸盐电镀体系，采用电沉积法制备富集112Cd靶，电沉积液成分为：112Cd2+浓度为18‑22g/L，H+浓度为2‑3mol/L，C6H5OH浓度为4‑5g/L，C2H5OH体积分数为20‑30％；电沉积参数为：电流密度为2.5‑5mA/cm2，电沉积时间为18‑24h，阳极用于负载靶物质的表面具有面积为3.4㎝2的沉积区和非沉积区，所述非沉积区覆盖绝缘层。本发明通过优化电沉积液组分和电沉积参数，在低浓度下进行镉靶制备，同时核反应有效面积控制在电沉积面积内，使每个靶片的镀镉量由传统的1‑1.5g减少至0.2‑0.3g，有效减少镉的用量，极大地降低了镉靶成本，填补了国内富集112Cd靶制备的空白。