[发明专利]一种基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010634604.7 申请日: 2020-07-04
公开(公告)号: CN111883679B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 李艳青;田宇;唐建新 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 陶海锋
地址: 215137 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于全溴配比的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法,包括从下而上依次设置的阳极衬底、空穴传输层、活性发光层、电子传输层、阴极修饰层和阴极电极,其特征在于:空穴传输层由聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸钠与空穴传输层修饰材料构成,空穴传输层修饰材料为咪唑;活性发光层的材质为钙钛矿,由钙钛矿前驱体制备,钙钛矿前驱体由基液A、基液B和调节剂构成,由下至上依次制备各层。本发明实现了光致与电致的出光峰连续可调,制备工艺简单高效。
搜索关键词: 一种 基于 配比 蓝光钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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