[发明专利]一种测定微尺度装药爆轰波阵面曲率的MEMS压电式传感器有效
| 申请号： | 202010635028.8 | 申请日： | 2020-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN111780908B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;刘元;张国栋;任炜;韦学勇;李慧;余旺;张一中 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01L5/14 | 分类号： | G01L5/14 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种测定微尺度装药爆轰波阵面曲率的MEMS压电式传感器，包括基底，基底上溅射有下层输出电极及下层焊盘，下层输出电极与下层焊盘通过下层导线连接，构成下层输出层；下层输出层上旋涂并固化形成PVDF‑TrFE薄膜层，对PVDF‑TrFE薄膜层进行硅油浴极化，通过离子刻蚀得到PVDF‑TrFE敏感元件，构成PVDF‑TrFE压电层；PVDF‑TrFE压电层上溅射有上层输出电极及上层焊盘，上层输出电极与上层焊盘通过上层导线连接，构成上层输出层；下、上层输出电极采用上下轴向对齐的布置方式；下、上层焊盘采用由下层导线、上层导线连接并垂直的布置方式；上层输出层上涂覆有保护层；该传感器具有敏感元件尺寸小、精度高、多点采集等特点，适用于多种测试条件下微尺度装药爆轰波阵面曲率的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测定 尺度 装药爆轰波阵面 曲率 mems 压电 传感器 | ||
【主权项】：
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