[发明专利]二维四方铁磁材料及其制备方法、存储单元及调控存储单元识别存储数据的方法在审
| 申请号： | 202010636187.X | 申请日： | 2020-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN111732128A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 侯鹏飞;刘云霞;周攀;杨琼;孙立忠;欧阳晓平 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C01G49/10 | 分类号： | C01G49/10;H01L27/22;H01L43/08;H01L43/10;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 马小星 |
| 地址： | 411105 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及信息存储技术领域，尤其涉及二维四方铁磁材料、存储单元及调控存储单元的存储数据的方法。本发明提供了一种二维四方铁磁材料，所述二维四方铁磁材料为FeCl，空间群为NO.129：P4/nmm，晶格参数为a＝b＝0.355nm，c＝1.826nm。所述二维四方铁磁材料在作为存储单元的铁磁材料层的材料时可以降低能耗，有利于提高存储单元的存储密度和可靠性以及实现柔性化。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 四方 材料 及其 制备 方法 存储 单元 调控 识别 数据 | ||
【主权项】：
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