[发明专利]超疏水微坑阵列芯片及其制备方法和装置有效
| 申请号： | 202010636603.6 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111701629B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;胡亚伟;陈忠尧;刘畅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00;C09D183/08;C09D7/61 |
| 代理公司： | 北京汉鼎理利专利代理事务所(特殊普通合伙) 11618 | 代理人： | 潘满根 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超疏水微坑阵列芯片，所述芯片通过以下方法制备：通过一体注塑形成包括微坑阵列和超疏水涂层池的芯片，将超疏水涂料加入到超疏水涂层池中，所述超疏水涂料溶液挥发后在所述微坑阵列的微坑之间形成超疏水层，所述超疏水层是指其表面与水或水溶液的接触角大于150°、滚动角小于10°的疏水层，所述超疏水层使得各个微坑中水溶液之间有效的物理隔绝。本发明的芯片中微坑阵列的排列方式、微坑尺寸、深度等均可调节，并可以实现微坑阵列间的完全隔离继而能够避免微坑之间的交叉污染并保持很好的生物相容性。 | ||
| 搜索关键词： | 疏水 阵列 芯片 及其 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
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