[发明专利]一种介孔氧化硅/阳极氧化铝异质结膜、超组装制备方法及其应用有效
申请号: | 202010640001.8 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN111748803B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 孔彪;周姗;谢磊;曾洁;刘占杰;陈海涛 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12;C25D11/24;F03G7/00 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 王伟珍 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于膜技术领域,具体涉及一种介孔氧化硅/阳极氧化铝异质结膜、超组装制备方法及其应用,利用氧化硅与AAO表面的氢键作用力,以AAO为基底,借助旋涂的方法,通过界面超组装和蒸发诱导自组装构筑策略在AAO基底上制备一层超薄的、规整有序的、厚度可控的介孔硅膜,从而得到介孔硅/AAO异质结膜。该异质结膜包括介孔硅较小的带负电荷的介孔通道和阳极氧化铝带正电荷的纳米通道,为离子提供了丰富的传输通道。这种带不同电荷的双极膜结构能够为离子传输提供丰富的通道,大大降低离子传输的内阻,有利于在能量捕获方面的应用,同时提供了一种构建具有离子选择性和盐差能捕获的纳流控器件的方法,也为构筑固态纳米通道膜提供一种新思路。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 阳极 氧化铝 结膜 组装 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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