[发明专利]一种环形栅结构的高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 202010640079.X | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111916491B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 吴少兵;张亦斌;陈韬;刘世郑;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种环形栅结构的高电子迁移率晶体管，包括源极、漏极和栅极，栅极为环形结构，高电子迁移率晶体管包括两种基础结构：第一种基础结构为，源极为圆形结构，漏极为环形结构，且源极位于所述栅极的内圈，漏极位于栅极的外圈，源极和漏极分别与栅极存在间隙；第二种基础结构为，漏极为圆形结构，源极为环形结构，且漏极位于栅极的内圈，源极位于漏极的外圈，源极和漏极分别与栅极存在间隙。本发明通过将栅极由直线型转变为环形结构，使其结构稳定，保障器件的稳定性和低寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环形 结构 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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