[发明专利]一种基于电极堆栈的界面型多态阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010641523.X | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111900248B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 韩传余;张骐智;韩峥嵘;方胜利;王小力 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于多态存储领域，公开了一种基于电极堆栈的界面型多态阻变存储器及其制备方法，所述多态阻变存储器包括衬底和衬底上自下而上依次沉积的底部电极、氧离子存储层、活性电极堆栈层和顶部电极；活性电极堆栈层包括自下而上依次设置的若干电极层，若干电极层分别采用活性不同的活性金属材料制作，最下方的电极层与氧离子存储层接触，最上方的电极层与顶部电极接触。在外加电压的作用下，能够通过氧离子存储层中的氧离子逐级氧化活性电极堆栈层，改变活性电极堆栈层的氧化厚度，进而改变活性电极堆栈层的界面势垒高度，产生不同的导电状态，实现多个电阻状态的阻变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电极 堆栈 界面 型多态阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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