[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010641667.5 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113903808A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底；位于衬底上的若干鳍部结构，相邻的鳍部结构之间具有隔离结构以及在隔离结构之上的隔离沟槽，鳍部结构包括若干层沿衬底表面法线方向的沟道层；位于衬底上的若干横跨相邻鳍部结构的栅极结构，栅极结构包围沟道层；位于衬底上的介质层；位于隔离沟槽内的第二隔离层，栅极结构覆盖第二隔离层的部分侧壁和顶部表面，且第二隔离层与相邻的鳍部结构之间具有间隙。通过位于隔离沟槽内的第二隔离层，栅极结构覆盖第二隔离层的部分侧壁和顶部表面，且第二隔离层与相邻的鳍部结构之间具有间隙。使得栅极结构能够四面全包围沟道层，进而增大栅极结构包围沟道层所形成的沟道区面积，有效提升最终半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010641667.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：半导体器件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
